安森美半导体宣布推出垂直氮化镓功率半导体，可降低近50%的损耗

IT之家11月2日报道，ONCEMI于当地时间10月30日宣布推出并展示垂直氮化镓（vGaN）功率半导体。利用获得专利的 GaN-on-GaN 同质衬底技术，电流垂直流过化合物半导体，从而实现更高的工作电压和更快的开关频率，从而实现更紧凑的功率器件设计。安森美半导体表示，vGaN功率半导体可将功率损耗和热量降低近50%，支持人工智能数据中心、电动汽车、可再生能源和航空航天等领域的未来发展。安森美半导体的vGaN垂直氮化镓技术采用单芯片设计，能够承受超过1200V的高电压。与目前市场上可穿戴的水平GaN器件相比，垂直氮化镓器件的尺寸约为三分之一。工作频率的提高意味着电容等无源元件的尺寸电容器和电感器可以减少大约一半。 IT之家获悉，安森美半导体已向首批客户提供了 700V 和 1200V 器件的样品。
特别提示：以上内容（包括图片、视频，如有）由自有媒体平台“网易账号”用户上传发布。本平台仅提供信息存储服务。
注：以上内容（包括图片和视频，如有）由网易号用户上传发布，网易号是一个仅提供信息存储服务的社交媒体平台。
收藏！ 2026年山东大学入学考试报名时间安排！请于18日付款！第七条 特别关注高校和公安专项！